|
| مكان المنشأ: | غوانغدونغ، الصين |
| اسم العلامة التجارية: | PUNAISGD |
| إصدار الشهادات: | CE/ROHS/ISO9001 |
| رقم الموديل: | جيكستو-8ب1.3 |
| السمة | القيمة |
|---|---|
| الاسم | كابل ألياف ضوئية بـ 4 نوى، وضع واحد |
| النوع | GYXTW-8b1.3 |
| مادة عنصر القوة | سلك فولاذي |
| الموديل | كابل ألياف ضوئية مدرع |
| درجة حرارة التشغيل | -40 درجة مئوية إلى +70 درجة مئوية |
| مادة الغلاف | PE/LSZH |
| الخدمة | OEM&ODM |
| الطول القياسي | 2000 متر |
| عدد الألياف | 8 |
| هيكل الكابل | درع شريط فولاذي متعدد الأنابيب السائبة |
| مصنع OEM | نعم |
| اللون الخارجي | أسود |
يتميز كابل الألياف الضوئية الخارجي GYXTW بألياف 250 ميكرومتر موضوعة في أنبوب فضفاض من البلاستيك عالي المعامل مملوء بمركب مقاوم للماء. توفر طبقة شريط فولاذي مضلع حماية طولية مع مواد مانعة لتسرب المياه بين الطبقات لبناء مضغوط ومحكم الإغلاق. يعزز سلكان فولاذيان التعزيز القوة، بينما يضمن الغلاف الخارجي PE المتانة.
| G652 | 50/125 ميكرومتر | 62.5/125 ميكرومتر | |
|---|---|---|---|
| التوهين (+20 درجة مئوية) | @850 نانومتر | ≤3.0 ديسيبل/كم | ≤3.3 ديسيبل/كم |
| @1300 نانومتر | ≤1.0 ديسيبل/كم | ≤1.0 ديسيبل/كم | |
| @1310 نانومتر | ≤0.36 ديسيبل/كم | ||
| @1550 نانومتر | ≤0.22 ديسيبل/كم | ||
| عرض النطاق الترددي (الفئة أ) | @850 نانومتر | ≥500 ميجاهرتز*كم | ≥200 ميجاهرتز*كم |
| @1300 نانومتر | ≥1000 ميجاهرتز*كم | ≥600 ميجاهرتز*كم | |
| الفتحة العددية | 0.200±0.015NA | 0.275±0.015NA | |
| طول موجة القطع للكابل | ≤1260 نانومتر |
| عدد الألياف | القطر الاسمي (مم) | الوزن الاسمي (كجم/كم) | الحمل المسموح به للشد (نيوتن) | مقاومة السحق المسموح بها (نيوتن/100 مم) |
|---|---|---|---|---|
| 2~12 | 8.0 | 90 | 1500 (على المدى القصير) 600 (على المدى الطويل) |
1000 (على المدى القصير) 300 (على المدى الطويل) |
| 14~24 | 8.0 | 110 | 1500 (على المدى القصير) 600 (على المدى الطويل) |
1000 (على المدى القصير) 300 (على المدى الطويل) |
فيديو
فيديو
